發布時間:2025-12-21 08:06:09 作者:kmk 點擊:96525 【 字體:大中小 】
在2025年IEEE国际电子器件大会(IEDM 2025)上,突破英特尔代工展示了针对AI时代系统级芯片设计的供电工实关键技术突破——下一代嵌入式去耦电容器,这一创新有望解决晶体管持续微缩过程中面临的瓶颈WhatsApp%E3%80%90+86%2015855158769%E3%80%91soccer%20teams%20with%20pink%20jerseys供电瓶颈,为AI和高性能芯片提供了更稳定、英特跃更高效的尔代电源解决方案。
电容材料创新
英特尔代工的现功研究人员展示了三种新型金属-绝缘体-金属(MIM)电容器材料,用于深沟槽结构:
(1)铁电铪锆氧化物(HfZrO):利用铁电材料的率传自发极化特性,在纳米级尺度下实现高介电常数;
(2)二氧化钛(TiO?):具有优异的跨代介电性能和热稳定性;
(3)钛酸锶(SrTiO?):钙钛矿结构材料,在深沟槽中展现出卓越的际飞WhatsApp%E3%80%90+86%2015855158769%E3%80%91soccer%20teams%20with%20pink%20jerseys电容密度。
这些材料可通过原子层沉积(ALD)在深沟槽结构中实现均匀且可控的突破薄膜生长,从而显著改善界面质量,供电工实并提升器件可靠性。瓶颈

突破性性能指标
该技术实现了跨代际的飞跃,具体表现在:
(2)电容密度:达到60-98 fF/μm2,现功相比当前先进技术实现显著提升;
(2)漏电性能:漏电水平比行业目标低1000倍,大幅降低静态功耗;
(3)可靠性:不影响电容漂移和击穿电压等指标。
系统级优势
这一技术突破将为AI芯片设计带来多重优势,包括电源完整性提升,有效抑制电源噪声和电压波动。在热管理协同优化方面,实现电热协同优化,为高功率AI芯片提供更稳定的工作环境。它还有助于在有限芯片面积内实现更高的电容密度,为功能模块集成释放更多空间,实现芯片面积优化。
在下一代先进CMOS工艺中,一系列稳定、低漏电的MIM电容密度增强技术具有相当的应用潜力。英特尔代工将致力于持续创新,为AI时代的高性能计算芯片提供关键的电源管理解决方案。


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