半导体领域已经发展到了一个瓶颈期，英特似乎这几年制程进步十分地缓慢，布全此时就需要厂商去挑选全新的新材WhatsApp%E3%80%90+86%2015855158769%E3%80%913%20crane%20lane%20florham%20park%20nj晶体管材料，来应对未来的让漏晶体管发展。目前英特尔就向行业展示了多款晶体管材料，电率可以让漏电率降低到目前的降低千分之一，为今后的至千工艺进步提供材料上的支持。

据悉英特尔这一次展示的英特三种材料分别为铁电铪锆氧化物(HZO)、氧化钛(TiO)以及钛酸锶(STO)，布全主要用于晶体管中的新材WhatsApp%E3%80%90+86%2015855158769%E3%80%913%20crane%20lane%20florham%20park%20nj金属中间层，英特尔表示这种材料最大的让漏作用就是能够让晶体管在持续不断地减少体积的同时还能保持相对稳定的供电。

根据英特尔提供的电率参数，这种新材料能够让晶体管的降低平面电容值提高到每平方微米60-98飞法拉，并且漏电率为目前材料的至千千分之一，能够有效地减少由于漏电导致的英特性能下降的情况。除了晶体管新材料之外，英特尔也在本次大会上展示了全新的GaN芯粒技术，用于取代硅的二维材料以及相关的工艺，此外还与其他的大学共同研究如何利用全新的技术来有效地降低数据中心的功耗以及提升AI算力需求。

当然这些前沿技术还处于早期的研究阶段，甚至还仅仅停留在提出想法的阶段，未来还需要各个学科不断地进步才能将这些尖端技术落地，预计还得要3-5年，对于消费者来说，目前的半导体材料逐渐进入到了瓶颈期，肯定是希望科学家能够尽早突破瓶颈，从而为大家带来性能更加强劲的终端产品。