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電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 最近，又國湖南三安半导体舉行了碳化硅芯片上車儀式，上車標(biāo)志著國產(chǎn)車規(guī)級碳化硅主驅(qū)芯片實(shí)現(xiàn)從技術(shù)攻關(guān)到規(guī)模化裝車的又國WhatsApp%E3%80%90+86%2015855158769%E3%80%91crane%20operator%20jobs%20near%20me里程碑突破。此次三安 1200V 13mΩ SiC MOSFET芯片成功搭载理想高压平台车型，上车不仅验证了其在性能、又国可靠性与批量交付能力上的上车市场认可度，更通过与理想汽车的又国深度协同，构建起 “芯片自主 + 模块自研” 的上车国产新能源汽车核心动力解决方案。

作为国内为数不多具备 SiC 全产业链垂直整合能力的又国企业，三安半导体此次上车的上车碳化硅芯片背后，是又国覆盖长晶、衬底制备、上车WhatsApp%E3%80%90+86%2015855158769%E3%80%91crane%20operator%20jobs%20near%20me外延生长、又国芯片制造的上车全流程技术积淀。该 1200V 13mΩ 车规级 SiC MOSFET 作为第三代产品，又国通过元胞结构优化，将导通损耗较前代产品降低 18.75%，在 100A 工作电流下导通损耗仅为 13W，显著提升电驱系统效率。其核心技术优势源于三安在 8 英寸衬底领域的突破，湖南基地目前已实现 8 英寸衬底月产能 1000 片、外延月产能 2000 片，低缺陷密度工艺为芯片性能稳定性提供了关键保障。

依托 IATF16949 体系认证與 AEC-Q101 車規(guī)級產(chǎn)品认证，三安碳化硅芯片已累計(jì)出貨超 3 億顆，服務(wù)全球超 800 家客戶，規(guī)模化制造經(jīng)驗(yàn)確保了對理想汽車的穩(wěn)定供應(yīng)。湖南三安總經(jīng)理江協(xié)龍強(qiáng)調(diào)，全產(chǎn)業(yè)鏈模式讓企業(yè)在產(chǎn)品迭代、質(zhì)量管控與交付效率上形成獨(dú)特優(yōu)勢，此次上車正是 “車規(guī)化、平臺化、高效能、全鏈自主” 核心戰(zhàn)略的實(shí)踐成果。

此次芯片成功装车，是双方自 2022 年启动合作以来的重要里程碑。当年，三安与理想合资成立苏州斯科半导体有限公司，投资 10 亿元建设碳化硅功率模块研發(fā)生產(chǎn)基地，規(guī)劃年產(chǎn)能 240 萬只碳化硅半橋功率模块，形成 “芯片制造 - 模塊集成 - 整車應(yīng)用” 的閉環(huán)布局。2024 年底，合資公司一期產(chǎn)線正式通線，為此次規(guī)模化裝車奠定產(chǎn)能基礎(chǔ)；2025 年 6 月，理想在 TMC2025 年會上發(fā)布自研 LPM 功率模块后，雙方加速芯片與模塊的適配優(yōu)化，最終實(shí)現(xiàn)核心部件的同步落地。

理想汽車動(dòng)力驅(qū)動(dòng)研發(fā)副總裁劉強(qiáng)表示，三安在第三代半导体領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局，為理想純電產(chǎn)品的技術(shù)迭代提供了關(guān)鍵支撐。在技术交流中，雙方團(tuán)隊(duì)圍繞碳化硅芯片在電驅(qū)系統(tǒng)、充電效率及平臺化應(yīng)用的深度探討，進(jìn)一步明確了基于三安 8 英寸襯底技術(shù)，將為理想高压平臺車型開發(fā)提供持續(xù)助力。儀式上，湖南三安贈(zèng)送的8英寸 SiC MOSFET 芯片成品，既彰顯了技術(shù)自信，更預(yù)示著合作向更深層次推進(jìn)。

三安碳化硅芯片的卓越性能，在理想自研 LPM 功率模块中得到充分釋放。這款歷時(shí) 3 年半研發(fā)的模塊，以系統(tǒng)級能效優(yōu)化為核心，通過四大技術(shù)創(chuàng)新將等效串聯(lián)電感（ESL）降至 10nH，較行業(yè)平均水平降低 50%，配合三安芯片的低損耗特性，共同實(shí)現(xiàn)整車?yán)m(xù)航提升 7%。其中芯片本身貢獻(xiàn) 6%（約 40 公里）提升，模塊優(yōu)化額外帶來 1%（約 7 公里）增益。

理想 LPM 模块的革命性设计尤为亮眼：其独创内部开窗架构，彻底取消外露功率端子与螺栓连接，通过高精度AMB 直接激光焊工艺实现电容与铜排的精准嵌套，使模块占地面积缩减 50%，Y 向尺寸减小 40mm，为后排乘客释放宝贵空间。这种跨层级集成设计，需要芯片性能与模块结构的深度适配，而三安芯片的稳定输出与灵活定制能力，为该创新提供了坚实基础。此外，模块搭载的封闭铜冷板、全自动化组装工艺及 72 项极端工况验证，进一步保障了三安芯片在整车场景下的可靠性。

此次合作的落地，不僅打破了國際廠商在高端車載碳化硅芯片領(lǐng)域的壟斷，更構(gòu)建了車企與半导体企業(yè)深度協(xié)同的國產(chǎn)創(chuàng)新模式。三安通過 8 英寸產(chǎn)線產(chǎn)能爬坡與良率提升，持續(xù)降低碳化硅器件成本，而理想的模塊自研則推動(dòng)核心技術(shù)向應(yīng)用端高效轉(zhuǎn)化，兩者形成的合力正在加速 800V 高压平臺的普及。數(shù)據(jù)顯示，搭載該方案的理想車型可支持 300 千瓦以上超快充功率，實(shí)現(xiàn) 10 分鐘補(bǔ)能 500 公里的用戶體驗(yàn)。

展望未來，三安半导体計(jì)劃在未來三至五年持續(xù)加大車規(guī)級 SiC MOSFET 與 GaN 研發(fā)投入，重慶基地 2000片/月的 8 英寸襯底產(chǎn)能也將逐步釋放；理想汽車則將在純電車型中全系應(yīng)用該技術(shù)方案，并深化與三安在下一代芯片與模塊集成上的合作。隨著國產(chǎn)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈從材料、芯片到模塊應(yīng)用的全面成熟，中國新能源汽車產(chǎn)業(yè)正實(shí)現(xiàn)核心動(dòng)力部件的自主可控。